華泰證券認為，碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料，具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點，SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢，廣泛應用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領域。由于技術遷移成本高、價格高企、產(chǎn)能緊張等因素，我們認為碳化硅仍處于滲透早期，當前主要應用于中高端新能源車、充電樁及基站射頻等領域，我們預計全球SiC器件市場規(guī)模2025年將達59.79億美元，較2020年翻5倍。
華泰證券認為，碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料，具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點，SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢，廣泛應用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領域。由于技術遷移成本高、價格高企、產(chǎn)能緊張等因素，我們認為碳化硅仍處于滲透早期，當前主要應用于中高端新能源車、充電樁及基站射頻等領域，我們預計全球SiC器件市場規(guī)模2025年將達59.79億美元，較2020年翻5倍。
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