供應(yīng)鏈透露，聯(lián)電近期擴大第三代半導(dǎo)體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預(yù)計下半年將進駐8英寸AB廠，瞄準(zhǔn)8英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的經(jīng)濟效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向。報道稱，聯(lián)電先前第三代半導(dǎo)體布局，主要透過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎光電切入，鎖定6英寸氮化鎵產(chǎn)品，主要是考慮目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。
供應(yīng)鏈透露，聯(lián)電近期擴大第三代半導(dǎo)體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預(yù)計下半年將進駐8英寸AB廠，瞄準(zhǔn)8英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的經(jīng)濟效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向。報道稱，聯(lián)電先前第三代半導(dǎo)體布局，主要透過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎光電切入，鎖定6英寸氮化鎵產(chǎn)品，主要是考慮目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。
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