華為將在VLSI Symposium2022(6月12日～17日在夏威夷舉行)上發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的3D DRAM技術(shù)，進(jìn)行各種有關(guān)內(nèi)存的演示。報道稱，華為與中科院方面開發(fā)了基于銦鎵鋅氧IGZO-FET(由In、Ga、Zn、O組成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All-Around)構(gòu)型晶體管3D DRAM技術(shù)，具有出色的溫度穩(wěn)定性和可靠性。(IT之家)
華為將在VLSI Symposium2022(6月12日～17日在夏威夷舉行)上發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的3D DRAM技術(shù)，進(jìn)行各種有關(guān)內(nèi)存的演示。報道稱，華為與中科院方面開發(fā)了基于銦鎵鋅氧IGZO-FET(由In、Ga、Zn、O組成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All-Around)構(gòu)型晶體管3D DRAM技術(shù)，具有出色的溫度穩(wěn)定性和可靠性。(IT之家)
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