長江存儲直接挑戰(zhàn)232層3D NAND 欲超車國際大廠 2022-06-14 14:28 array(1) { [399437]=> array(2) { [2]=> array(2) { [0]=> string(9) "存儲器" [1]=> string(10) "NAND閃存" } [4]=> array(1) { [0]=> string(19) "同花順7x24快訊" } } } 同花順7x24快訊 0 據(jù)中國臺灣電子時報消息，3D NAND200層堆棧以上賽局加速展開，繼存儲器大廠美光(Micron)提出業(yè)界首家232層堆棧3DNAND Flash將于2022年底前率先量產(chǎn)，近日市場傳長江存儲將跳過原定192層技術，直接挑戰(zhàn)232層NAND，并于2022年底量產(chǎn)。存儲器相關業(yè)者指出，如此一來，長江存儲可望趕上其他NAND大廠如三星電子等。
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