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三星電子:將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群

  據(jù)韓媒報道,三星電子25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)的極紫外光刻專用V1生產(chǎn)線舉行了適用新一代全環(huán)繞柵極技術(shù)的3納米芯片產(chǎn)品出廠紀念活動。據(jù)介紹,三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群,并計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統(tǒng)級芯片等多種產(chǎn)品群。三星電子計劃繼華城廠區(qū)之后,在平澤廠區(qū)也投入量產(chǎn)GAA3納米芯片。

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