通富微電12月21日在互動(dòng)平臺(tái)表示，在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，同時(shí)在國(guó)內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，助推公司進(jìn)階成為更有競(jìng)爭(zhēng)力的存儲(chǔ)器封裝企業(yè)。
通富微電12月21日在互動(dòng)平臺(tái)表示，在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，同時(shí)在國(guó)內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，助推公司進(jìn)階成為更有競(jìng)爭(zhēng)力的存儲(chǔ)器封裝企業(yè)。
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