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通富微電:在國內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)

  通富微電12月21日在互動平臺表示,在存儲器領(lǐng)域,公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),同時在國內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā),助推公司進階成為更有競爭力的存儲器封裝企業(yè)。

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